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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FQP12N60C 

产品描述

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

内部编号

3-FQP12N60C

#1

数量:4900
1+¥4.3878
11+¥3.3166
31+¥3.1106
101+¥2.8943
最小起订量:1
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#2

数量:4900
1+¥4.3878
11+¥3.3166
31+¥3.1106
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

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FQP12N60C产品详细规格

规格书 FQP12N60C datasheet 规格书
FQP12N60C datasheet 规格书
FQP12N60C datasheet 规格书
文档 Passivation Material 14/May/2008
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 650 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 63nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2290pF @ 25V
功率 - 最大 225W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
associated EYGA121807A
EYGA091203SM
120-5.
SK 409/254 STS
SK 409/508 STS
SK 145/375 STS-220
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